大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显姝妤怎么念，姝妤字怎么读音是什么(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75姝妤怎么念，姝妤字怎么读音是什么％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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