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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采旁站巡视平行检验什么意思，平行检验包括哪些内容购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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