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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务明星死了 现在是替身，哪个明星的替身死了进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进明星死了 现在是替身，哪个明星的替身死了程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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