大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售黑人牙膏创始人，好来牙膏是假货吗(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。黑人牙膏创始人，好来牙膏是假货吗g>为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。