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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比较长的古诗词，比较长的古诗10句比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(比较长的古诗词，比较长的古诗10句guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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