大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(ló五一最适合带孩子去哪旅游，五一带孩子去哪里好玩ng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波五一最适合带孩子去哪旅游，五一带孩子去哪里好玩龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xi五一最适合带孩子去哪旅游，五一带孩子去哪里好玩āng)关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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