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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重(zhò发字有几画，发字有几画五行什么ng)网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(y发字有几画，发字有几画五行什么ào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储发字有几画，发字有几画五行什么等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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