大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查大疆无人机的电机是哪个国家的品牌 大疆是国企还是私企，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星大疆无人机的电机是哪个国家的品牌 大疆是国企还是私企(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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