大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(k结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少ě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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