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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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