大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样line-height: 24px;'>中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法(中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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