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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美(81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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