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自制苏打水可以降尿酸吗,自制苏打水和买的苏打水区别

自制苏打水可以降尿酸吗,自制苏打水和买的苏打水区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司(sī)自制苏打水可以降尿酸吗,自制苏打水和买的苏打水区别在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

  据网信办消息(xī),日前,网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查,目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购!

  美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰(f自制苏打水可以降尿酸吗,自制苏打水和买的苏打水区别ēng)57%降至2022年(nián)约11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约,确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性,巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到限制(zhì),或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单,设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提(tí)升,以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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