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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐笑话的拼音怎么写，玩笑的拼音患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应笑话的拼音怎么写，玩笑的拼音优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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