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勖存姿为什么没有碰喜宝,勖存姿为什么不碰喜宝 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī),我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查,目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放,只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导(dǎo)体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(g勖存姿为什么没有碰喜宝,勖存姿为什么不碰喜宝ōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

<勖存姿为什么没有碰喜宝,勖存姿为什么不碰喜宝p>  目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势,公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(勖存姿为什么没有碰喜宝,勖存姿为什么不碰喜宝cǎi)购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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