大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此4开头的是哪个省，4打头身份证是哪里次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Mar4开头的是哪个省，4打头身份证是哪里kit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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