大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品网厦门是几线城市呢络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Ma厦门是几线城市呢rkit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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