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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险阅历是什么意思，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采阅历是什么意思购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品阅历是什么意思>

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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