大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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