大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(x司马相如的长门赋原文和译文注释，司马相如的长门赋原文和译文iàn)，司马相如的长门赋原文和译文注释，司马相如的长门赋原文和译文ng>美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较司马相如的长门赋原文和译文注释，司马相如的长门赋原文和译文严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：IDC站长站，IDC站长，IDC资讯--IDC站长站 司马相如的长门赋原文和译文注释，司马相如的长门赋原文和译文