大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(g阳光女孩用英语怎么写啊怎么读，阳光女孩用英语怎么写啊翻译ù)公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江阳光女孩用英语怎么写啊怎么读，阳光女孩用英语怎么写啊翻译(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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