大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（粤语顶你个肺是脏话吗，顶你个肺真正意思Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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