大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Om商议的近义词是什么呢 标准答案，商议的近义词是什么呢二年级dia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi商议的近义词是什么呢 标准答案，商议的近义词是什么呢二年级)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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