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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，merry什么意思 merry是彩虹社的吗中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产merry什么意思 merry是彩虹社的吗(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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