大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室20分米等于多少米 20分米等于多少厘米按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(s20分米等于多少米 20分米等于多少厘米hěn)查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(ch20分米等于多少米 20分米等于多少厘米ǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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