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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影ch2是什么基团，chch3ch3是什么基团响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)ch2是什么基团，chch3ch3是什么基团法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。ch2是什么基团，chch3ch3是什么基团>

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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